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【科创定位】688120华海清科专利技术保护趋势

浏览: 发表时间:2022-11-11 15:23:31

688120华海清科专利技术保护趋势

202268日上市,688120华海清科,华海清科股份有限公司目前市值259.69亿元,2022年三季度营业收入11.33亿元,净利润3.429亿元,研究经费1.42亿元。

主营产品00系列化学机械抛光设备、200系列化学机械抛光设备

1)发明专利:一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备  申请号:cn202211185758.8  申请日2022年928 技术效果:本发明实施例,可以提升对修整器60的清洗效果,有效去除修整器60表面的污染物,降低污染物对晶圆划伤的风险。

2)实用专利:一种晶圆清洗装置  申请号:cn202222407312.7  申请日2022年913 技术效果:本实用新型公开了晶圆清洗装置,其包括:槽体;喷淋杆,设置于槽体中,其朝向待清洗的晶圆喷射清洗液;滚刷,设置于槽体中,其绕轴线旋转以刷洗晶圆表面;喷气组件,设置于槽体的上部,其喷射的气体能够在槽体的上部形成气帘,以防止滚刷表面的液体离心溅射至槽体的顶盖。

3)实用专利:一种吸盘工作台和基板减薄装置  申请号:cn202222235802.3  申请日2022年825 技术效果:选择液环真空泵作为真空源,其在运行时允许回流一定量的液体,以便于清洗吸盘工作台时,开启真空源,提升吸盘工作台的清洗效果;b. 在真空管路上配置流量计,以监测朝向真空源回流的液体的流量,避免液环真空泵的泵头的水量过大而引起驱动电机过载;c. 在吸盘工作台与流量计之间配置过滤装置,以滤除回流液体中的颗粒物,避免颗粒物进入液环真空泵而影响真空源运行的稳定性。

4)发明专利:一种晶圆后处理装置  申请号:cn202211022087.3  申请日2022年825 技术效果:本发明公开的晶圆后处理装置,其结构合理,配置的顶部导流结构能够将滴落在门体、顶盖的液体远离槽体内放置晶圆的位置引导,降低或避免含有颗粒物的液体对晶圆后处理效果的影响。

5)发明专利:一种化学机械抛光系统及抛光方法  申请号:cn202210972291.5  申请日2022年815 技术效果:本发明公开了一种化学机械抛光系统及抛光方法,所述抛光系统包括:前置单元;抛光单元;清洗单元,设置于前置单元与抛光单元之间;其中,所述清洗单元包括第一清洗单元和第二清洗单元,其沿竖直方向层叠设置;所述第一清洗单元和第二清洗单元包括晶圆传输机械手和多个晶圆后处理装置,所述晶圆后处理装置围绕所述晶圆传输机械手设置。

6)发明专利:一种晶圆清洗方法  申请号:cn202210972270.3  申请日2022年815 技术效果:本发明公开了一种晶圆清洗方法,其包括:s1,将晶圆放置于槽体内的滚轮组件,滚轮组件竖向支撑待清洗的晶圆;s2,槽体内的清洗刷通水并朝向晶圆移动至清洗位置,清洗刷滚动以接触的方式清洗晶圆表面;s3,完成刷洗的清洗刷远离晶圆,槽体内的清洁件朝向滚轮组件喷射流体,以冲洗滚轮组件积聚的颗粒物。

7)发明专利:一种晶圆清洗装置  申请号:cn202210971268.4  申请日2022年815 技术效果:本发明公开了一种晶圆清洗装置,其包括:槽体;支撑组件,位于所述槽体中,其为转动件,用于竖向支撑并带动待清洗晶圆旋转;清洗刷,水平设置并绕其轴线滚动;清洁件,位于所述槽体中,用于朝向转动件喷射流体,以移除积聚于转动件的颗粒物;所述清洁件的喷射方向与待清洗晶圆的旋转方向相匹配。

8)发明专利:一种应用于晶圆处理的双向气封结构和晶圆处理装置  申请号:cn202210874097.3  申请日2022年725 技术效果:能够实现晶圆处理腔室和污染源区域之间的空间隔离,能够在防止晶圆处理腔室内的清洗液进入旋转机构的同时,实现防止含有污染物的气体进入晶圆处理腔室对被清洗晶圆造成二次污染。

9)发明专利:一种超精密磨削参数调整方法和磨削系统  申请号:cn202210828903.3  申请日2022年715 技术效果:在磨削过程中,实时获取磨削参数的实测值,所述磨削参数为磨削温度和/或磨削力;根据磨削参数的实测值和可行域,计算磨削参数的调整量;利用磨削参数的调整量,根据磨削参数与加工参数的对应关系,计算加工参数的调整量,其中,加工参数包括晶圆转速、砂轮转速和砂轮进给速度中的至少一个

10)发明专利:一种抛光液调整方法和化学机械抛光设备  申请号: cn202210828893.3 申请日2022715 技术效果:本发明能够根据抛光垫的厚度变化,对抛光液的流量进行准确的定量调整,以维持抛光液在抛光垫表面的分布形状和厚度形貌保持稳定,从而保证晶圆抛光速率和抛光后晶圆形貌的一致性,同时节省抛光液。  

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