【科创定位】长光华芯专利技术保护趋势-ag九游会app

【科创定位】长光华芯专利技术保护趋势

2022年4月1日上市，688048  长光华芯，苏州长光华芯光电技术股份有限公司目前市值159.44亿元，2022年三季度营业收入3.16亿元，净利润9488万元，研究经费8015万元。

主营产品:半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。

1）发明专利：一种半导体外延结构及其生长方法 申请号：cn202211118583.9 申请日：2022年9月15日 技术效果：本申请避免有源区在高温下铟偏析，提高了激光器的稳定性。

2）发明专利：一种半导体激光二极管合束反射镜最优位置检测方法 申请号：cn202211023298.9申请日：2022年8月25日 技术效果：本申请公开的一种半导体激光二极管合束反射镜最优位置检测方法，通过在反射镜运动过程中动态监测光斑宽度，进而优化反射镜位置，使得反射镜位置的监测结果不受内部或外部的因素影响，实现反射镜高度位置的快速和精准优化。

3）发明专利：一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法 申请号：cn202210812724.0申请日：2022年7月12日 技术效果：所述垂直腔面发射半导体发光结构的阵列光束为单模相干且其相位分布可控。

4）发明专利：一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法 申请号：cn202210812048.7申请日：2022年7月12日 技术效果：半导体器件可以通过衍射谱来判断是第一布拉格反射镜的周期厚度出现偏差还是第二布拉格反射镜的周期厚度出现偏差，降低了工艺成本，减少了资源浪费。

5）发明专利：一种半导体异质界面组分的调节方法及装置 申请号：cn202210780994.8申请日：2022年6月5日 技术效果：本发明实施例可以减少多个numa节点之间频繁进行cache同步导致的硬件开销，有利于提升进程的访问性能。本方法实现了对当前超晶格界面薄层进行了有效表征，提升了超晶格的性能。

6）发明专利：一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法  申请号：cn202210781178.9申请日：2022年7月5日 技术效果：本申请实现了对晶圆外延生长的控制，避免翘曲的形成。

7）发明专利：一种半导体发光结构及其制备方法 申请号：cn202210732852.4 申请日2022年6月27日 技术效果：所述方法能兼顾窄的有源层、正面电极与接触层的接触性能较好。

8）发明专利：一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法 申请号：cn202210477824.2 申请日：2022年5月5日 技术效果：在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。

9）发明专利：一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法 申请号：cn202210401562.1 申请日：2022年4月18日 技术效果：本发明提供了一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法，在形成任意单层的inxga1xas膜的过程中采用第一路镓源气体和第二路镓源气体，第二路镓源气体的流量远小于第一路镓源气体的流量；对于厚度不同的多层inxga1xas膜，第二路镓源气体的平均流量随着inxga1xas膜的厚度的增加而增加；和/或，在形成任意单层的inyal1yas膜的过程中采用第一路铝源气体和第二路铝源气体，第二路铝源气体的流量远小于第一路铝源气体的流量；对于厚度不同的多层inyal1yas膜，所述第二路铝源气体的平均流量随着inyal1yas膜的厚度的增加而增加。

10）发明专利：侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法 申请号：cn202210392751.7申请日：2022年4月15日 技术效果：所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。

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